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US6U37
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US6U37
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Schottky barrier diode
Features
1) Nch MOSFET and schottky barrier diode
are put in TUMT6 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) Low voltage drive (2.5V drive).
4) Built-in Low V F schottky barrier diode.
Applications
Switching
Dimensions (Unit : mm)
TUMT6
Abbreviated symbol : U37
Inner circuit
Package specifications
Package
Taping
(6)
(5)
(4)
Type
Code
TR
? 2
US6U37
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 1
(1)Gate
(2)Source
(3)Cathode
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
(1) (2)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(3)
(4)Anode
(5)Anode
(6)Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Channel temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
Tch
± 1.5
± 6.0
0.6
6.0
150
A
A
A
A
° C
Power dissipation
P D
? 2
0.7
W / ELEMENT
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
<Di>
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Symbol
V RM
V R
I F
Limits
25
20
0.7
Unit
V
V
A
Forward current surge peak
Junction temperature
Power dissipation
I FSM
Tj
P D
? 1
? 2
10
150
0.5
A
° C
W / ELEMENT
? 1 60Hz 1cycle
? 2 Mounted on ceramic board
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